最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据 |
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最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据2013-08-05 21:08:54 3937 次阅读 稿源：cnBeta.COM 27 条评论
 阻变存储器RAM（RRAM）是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器，相比现在的闪存，它的速度快上许多，读写时还非常节能。今天，加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术，可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据，这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高，同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍，读写时的功率仅为1/20。 取决于不同的设备，RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年，使用寿命也10倍于NAND，可以说是一种完美的高速存储器。Crossbar还表示，这种存储器还可以以阵列的方式运行，他们计划将这项技术授权给其它公司使用，目前30余项专利已经被授予。     http://www.cnbeta.com/articles/247320.htm |
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