19nm发威打造全球最小128Gb NAND闪存芯片

SanDisk闪迪今天宣布，已经联合东芝开发出世界上最小的128Gb(16GB) NAND闪存芯片，在仅仅170平方毫米的硅片上存储了1280亿比特信息，比一颗普通硬币还要小。

该芯片使用的制造工艺是SanDisk今年初刚刚投产的最先进19nm。1nm就是一米的十亿分之一，所以19nm电路是如此之小，大约3000个排列起来才相当于人的一根头发那么宽。

SanDisk还用上了自己开发的X3(3-bit per cell)技术，能够在每个存储单元内同时读取、写入三个比特的信息。

除了尺寸更小，SanDisk还宣称该芯片的X3写入性能达到了行业领先的18MB/s，而这主要得益于其专利的All-Bit-Line(ABL)架构技术。

SanDisk 19nm工艺上应用了其第九代MLC NAND闪存技术和第五代X3技术，使其能在每个存储单元内塞入更多信息，创造面积更小、存储密度更高的NAND闪存芯片。

SanDisk同时还开发出了64Gb(8GB)容量版本，兼容标准的microSD/TF存储卡格式，并已投入量产。

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